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NOIH2SM1000A
Detailed Specifications ? All Type Variants
Table 12. GENERAL SPECIFICATIONS
No.
1
2
3
Characteristic
Image sensor format
Pixel size
ADC resolution
Min
N/A
N/A
N/A
Typ
1024 x 1024
18
12
Max
N/A
N/A
N/A
Unit
pixels
m m
bit
Remarks
10-bit accuracy at 5 Msamples/sec
Table 13. SILICON PARTICLE CONTAMINATION SPECIFICATIONS
No.
1
Characteristic
Optical quality: Particle max size
Min
N/A
Typ
N/A
Max
20
Unit
m m
Remarks
See Type Variant Summary on
page 9
Table 14. MECHANICAL SPECIFICATIONS
Parameter
Die
(Refer to Figure 3
“Die Placement”
on page 10)
Description
Flatness of image area (Note 1)
Flatness of glass lid (Note 2)
Mass
Die thickness
Die center, X offset to the center of package
Die center, Y offset to the center of the package
Die position, X tilt
Die position, Y tilt
Die placement accuracy in package
Die rotation accuracy
Optical center referenced from package center (X-dir)
Optical center referenced from package center (Y-dir)
Min
NA
NA
7.7
? 0.01
( ? 50)
( ? 50)
( ? 0.1)
( ? 0.1)
( ? 50)
? 1
( ? 50)
( ? 50)
Typ
7.4
90
7.85
740
0
0
0
0
+571
+109.5
Max
NA
150
8.0
0.01
(+50)
(+50)
(0.1)
(0.1)
(+50)
1
(+50)
(+50)
Units
m m
m m
g
m m
m m
m m
deg
deg
m m
deg
m m
m m
Distance from top of the die surface to top of the glass lid
Total Thickness
1. Peak-to-peak at 25 ± 3 ° C. Specified by the foundry over an entire 8-inch wafer.
2. Towards ceramic package.
Pin 1
Figure 3. Die Placement
http://onsemi.com
10
1.83
Refer to Package Diagram
(Figure 4 on page 25)
A: Package center/Die center
B: Optical center
mm
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